SLM2110是（shì）一款（kuǎn）高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器（qì），它提供独立（lì）的高边、低边输出驱（qū）动（dòng）信号。采用专有的高压集成（chéng）电路（lù）和锁存免（miǎn）疫（yì）CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电（diàn）平与标准（zhǔn）CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支持（chí）3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有（yǒu）高（gāo）脉冲电流缓冲（chōng）级，以减小（xiǎo）驱（qū）动器交叉（chā）导通（tōng）。延时匹配很方便应用（yòng）于高频（pín）设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高达600V。
为自举（jǔ）供电设计的浮动通道
全电压范围运行达（dá）600V
允（yǔn）许瞬（shùn）态负（fù）电（diàn）压，不受dV/dt影（yǐng）响
驱动电源范围从10V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容（róng）
逻辑地和（hé）功率地（dì）能（néng）承受±5V偏置
防止交叉导通逻（luó）辑
输入有下（xià）拉电阻的COMS斯密（mì）特触发器
逐周期边缘触发（fā）的关（guān）闭逻辑（jí）
两通道间匹配传输延时
输入输（shū）出同相
典型开通/关（guān）断延时（shí）：140ns/140ns
典型驱动电流：1A/1.6A
400 080 9938
